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GaAs(ガリウムヒ素)検出原理

測定原理は、GaAs(ガリウムヒ素)半導体による白色光の吸収/透過に基づいています。この半導体に対する温度変化の影響はよく知られており予測可能です。半導体の温度が変化すると、半導体の透過スペクトル(つまり吸収されない光)も変化します。任意の温度で、透過率が基本的に0%から100%にジャンプする波長があります。このジャンプは吸収シフトと呼ばれ、吸収シフトが発生する特定の波長と温度の関係は予測可能です。

 

 

センサーは、十分に研磨された光ファイバーの一端に結晶結合された小さなGaAs半導体で構成されています。

温度センサー

モニターから光ファイバーに入射した白色光は、GaAs結晶に到達し、部分的に吸収されながら通過、センサーの先端にあるミラーによってモニターに反射されます。モニターに反射された光は、光スペクトルアナライザーに結合され、光スペクトルアナライザーは、光パワー伝送、対、波長を測定します。吸収シフトの位置は、独自の信号分析アルゴリズムを使用するモニターによって決定され、GaAs結晶の温度に対して相互比較されます。

 

 

さらに、半導体は時間の経過とともに変化しないため、センサー交換時に、キャリブレーションや係数の入力の必要なしにすべてのセンサーを交換することができます。同じ理由で、モニターを通常の操作条件下で使用した場合、工場出荷後にモニターの再キャリブレーションを行う必要は全くありません。

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